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微流道芯片

微流道芯片

Product pilot test

硅流道芯片
純硅模具是制備高深寬比微通道的理想選擇,利用硅的干法刻蝕技術(shù),可以輕松實(shí)現深寬比最高達25:1的微通道結構,而且線(xiàn)條寬度可控制在2微米以上,精度誤差僅在±1微米范圍內,該方法可以彌補光刻膠在高深寬方面的不足之處。硅干法刻蝕具體流程如右圖然而,硅表面通常具有強烈的親水性,這可能導致PDMS芯片在脫模時(shí)黏附在硅表面,制造過(guò)程中的一大挑戰。為解決這個(gè)問(wèn)題,通常需要對硅表面進(jìn)行疏水修飾,使硅表面變得疏水,確保PDMS芯片能夠輕松從硅模具上脫離,而不受親水性的干擾(具體疏水解決方案可咨詢(xún)

特點(diǎn)
它對有機溶劑的耐受性
容易金屬沉積
優(yōu)越的導熱性,表面穩定性
加工案例
T型液滴
快速退火工藝(一)
快速退火工藝(一)

2023-11-17

快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內完成退火。它與常規熱退火相比,有下列優(yōu)點(diǎn)...

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離子鍍膜
離子鍍膜

2023-10-16

離子鍍是一種在真空環(huán)境中,利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化,沉積在產(chǎn)品表面形成一層鍍膜的工藝。  離子鍍工藝出現于上世紀70年代,是一種...

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常規ICP刻蝕的操作流程
常規ICP刻蝕的操作流程

2023-10-13

(一)裝片:1,在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標下Stop,切換至Vent ,120s 后打開(kāi) Loadlock;2,涂抹真空油脂:根據片子尺寸大小,在托盤(pán)上涂抹...

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分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)
分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著(zhù)超高真空技術(shù)的發(fā)展而日趨完善,由于分子束外延技術(shù)的發(fā)展開(kāi)拓了一系列嶄新的超...

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