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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品,而努力

Work hard to make your product

器件封裝
  • 倒裝鍵合
    芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,溫度<450℃ 精度:±3μm,壓力<100kg,2寸晶圓對晶圓鍵合
  • 晶圓鍵合
    陽(yáng)極鍵合、共晶鍵合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、膠鍵合(BCB,SU8,鍵合專(zhuān)用膠),對準精度±5μm
  • 點(diǎn)膠
    工作范圍:≤300*300mm,膠量控制:容積式和氣壓式,膠水黏度<50kCPS,單次膠量<0.16900ml,時(shí)間設置范圍<9.999sec
  • 貼片
    銀漿、焊料
  • 引線(xiàn)
    球形焊、楔形焊;Au線(xiàn),Al線(xiàn)
  • 回流爐
    真空:2mbar,溫度<450℃±0.05℃
  • 平行封焊
    各類(lèi)金屬管殼,位置精度:±0.0381mm,壓力<5kg
  • TSV(硅通孔)工藝
    1、通孔的形成;2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積;3、電鍍填充,去除和再布線(xiàn);4、晶圓減??;5、鍵合、劃片
  • TGV(玻璃通孔工藝)
    可完成打孔、沉積、填充再布線(xiàn)、減薄、鍵合劃片等。




  • 案例展示


                               

            底層管芯與頂層管芯堆疊連接            Cu-Cu Metal Diffusion Bond             TSV(Cu&Sn鍵合)Process            Ultra High Density TGV For MEMS







    快速退火工藝(一)
    快速退火工藝(一)

    2023-11-17

    快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內完成退火。它與常規熱退火相比,有下列優(yōu)點(diǎn)...

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    離子鍍膜
    離子鍍膜

    2023-10-16

    離子鍍是一種在真空環(huán)境中,利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化,沉積在產(chǎn)品表面形成一層鍍膜的工藝。  離子鍍工藝出現于上世紀70年代,是一種...

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    常規ICP刻蝕的操作流程
    常規ICP刻蝕的操作流程

    2023-10-13

    (一)裝片:1,在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標下Stop,切換至Vent ,120s 后打開(kāi) Loadlock;2,涂抹真空油脂:根據片子尺寸大小,在托盤(pán)上涂抹...

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    分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)
    分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

    2023-10-09

    分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著(zhù)超高真空技術(shù)的發(fā)展而日趨完善,由于分子束外延技術(shù)的發(fā)展開(kāi)拓了一系列嶄新的超...

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