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  • 快速退火工藝(二)
    快速退火工藝(二)

    2023-11-17

    鹵素燈管退火(Halogen Lamp Annealing)是一種用燈管作為熱源的退火方式,其特點(diǎn)如下: 高溫:鹵素燈管退火的溫度可以達到1300攝氏度以上,可以快...

  • 快速退火工藝(一)
    快速退火工藝(一)

    2023-11-17

    快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內完成退火。它與常規熱退火相比,有下列優(yōu)點(diǎn)...

  • 離子鍍膜
    離子鍍膜

    2023-10-16

    離子鍍是一種在真空環(huán)境中,利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化,沉積在產(chǎn)品表面形成一層鍍膜的工藝。  離子鍍工藝出現于上世紀70年代,是一種...

  • 常規ICP刻蝕的操作流程
    常規ICP刻蝕的操作流程

    2023-10-13

    (一)裝片:1,在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標下Stop,切換至Vent ,120s 后打開(kāi) Loadlock;2,涂抹真空油脂:根據片子尺寸大小,在托盤(pán)上涂抹...

  • 分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)
    分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

    2023-10-09

    分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著(zhù)超高真空技術(shù)的發(fā)展而日趨完善,由于分子束外延技術(shù)的發(fā)展開(kāi)拓了一系列嶄新的超...

  • 離子注入的阻滯機制
    離子注入的阻滯機制

    2023-10-07

    當離子轟擊進(jìn)入硅襯底后,與晶格原子碰撞將逐漸失去能量,最后停留在硅襯底內。有兩種阻滯機制,一種是注入的離子與晶格原子的原子核發(fā)生碰撞,經(jīng)過(guò)這...

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