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快速退火工藝(一)

點(diǎn)擊量:1071 日期:2023-11-17 編輯:硅時(shí)代

快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內完成退火。它與常規熱退火相比,有下列優(yōu)點(diǎn):樣品在相同的保護條件下,可以使用較高的退火溫度,這有利于提高注入雜質(zhì)的激活率與遷移率,尤其適合大劑量注入的樣品,因為大劑量注入造成的損傷嚴重,需要在較高溫度下退火,瞬態(tài)退火可以減少注入雜質(zhì)的再分布,形成陡峭的雜質(zhì)分布或突變結,另外當退火溫度要求不十分高時(shí),樣品表面無(wú)須用介質(zhì)膜保護,簡(jiǎn)化了工藝。

快速退火是集成電路制造中常用的一種快速熱處理技術(shù),用于消除晶圓上的應力和損傷,并提高晶圓的品質(zhì)和可靠性。下面是幾種常見(jiàn)的快速退火方式和它們的特點(diǎn):

1.閃光燈退火(Flash Annealing):閃光燈退火是利用高功率閃光燈進(jìn)行的退火工藝,其特點(diǎn)如下:

高能量密度:閃光燈通過(guò)釋放高能量脈沖光,快速加熱晶圓。

非接觸性:閃光燈退火可以在不接觸晶圓的情況下進(jìn)行,減少了對晶圓的污染風(fēng)險。

快速加熱速率:閃光燈退火可以在極短的時(shí)間內將晶圓加熱到目標溫度,通常只需幾毫秒。

適用廣泛:閃光燈退火適用于多種材料和結構的退火處理。

2.激光退火(Laser Annealing):激光退火是使用激光進(jìn)行的退火工藝,其特點(diǎn)如下:

高功率密度:激光通過(guò)將高能量集中在一個(gè)小區域,快速加熱晶圓。

非接觸性:激光退火可以在不接觸晶圓的情況下進(jìn)行,減少了對晶圓的污染風(fēng)險。

高溫精確控制:激光可以精確調節加熱區域和加熱強度,實(shí)現高溫退火和局部加熱。

快速加熱速率:激光退火可以在幾毫秒內將晶圓加熱到所需溫度。

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