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產(chǎn)品與服務(wù)

MEMS加工

全套的MEMS加工工藝服務(wù)—可實(shí)現4/6/8英寸以下mems芯片代加工,擁有光刻、離子注入機、CVD、鍍膜、刻蝕、晶圓鍵合、劃片、快速退火等芯片制造工藝。

特殊工藝開(kāi)發(fā)

基于MEMS加工方面多年的經(jīng)驗積累——可完美實(shí)現客戶(hù)所提要求,并提供定制化的特殊工藝開(kāi)發(fā),形成工藝建議和成套解決方案。

高效服務(wù)

專(zhuān)業(yè)化的MEMS代工服務(wù)—在保證工藝質(zhì)量的前提下,可提供實(shí)驗加急服務(wù),可大大節約客戶(hù)等待時(shí)間,及時(shí)獲得實(shí)驗結果。

測試服務(wù)

強大的資源優(yōu)勢—提供更多的測試可能,針對客戶(hù)特殊的測試需求,實(shí)現定制化測試方案設計,設備資源整合以及分析測試結果報告。

快速制版

從瑞典、日本、德國等國引進(jìn)掩模版直寫(xiě)光刻制作系統及檢查測量設備,強大的生產(chǎn)能力可實(shí)現三天交付,為客戶(hù)提供集掩模版設計、研發(fā)、制作為一體的專(zhuān)業(yè)服務(wù)。

關(guān)于我們

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        蘇州硅時(shí)代電子科技有限公司(Si-Era),位于國內最大的MEMS產(chǎn)業(yè)集聚區——蘇州納米城。利用MEMS領(lǐng)域近20年的技術(shù)積累,在MEMS傳感器、生物MEMS、光學(xué)MEMS以及射頻MEMS方面都擁有大量的設計和工藝經(jīng)驗。
        基于成熟的設計及工藝團隊,蘇州硅時(shí)代面向MEMS領(lǐng)域,提供全方位的技術(shù)服務(wù)??商峁㎝EMS芯片定制設計開(kāi)發(fā)、集成電路芯片設計、MEMS芯片工藝驗證、MEMS芯片小批量試制、MEMS芯片中試化量產(chǎn)、MEMS芯片封裝方案設計等系統解決方案,也提供MEMS設計、加工、測試等單步或多步工藝實(shí)驗開(kāi)發(fā)。

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成就客戶(hù) 臻于至善
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硅時(shí)代電子科技

新聞

快速退火工藝(二)
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2023-11-17

鹵素燈管退火(Halogen Lamp Annealing)是一種用燈管作為熱源的退火方式,其特點(diǎn)如下: 高溫:鹵素燈管退火的溫度可以達到1300攝氏度以上,可以快...

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11.17

2023

快速退火工藝(一)

快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右...

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10.16

2023

離子鍍膜

離子鍍是一種在真空環(huán)境中,利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化,沉積在產(chǎn)品表面形成...

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10.13

2023

常規ICP刻蝕的操作流程

(一)裝片:1,在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標下Stop,切換至Vent ,120s 后打開(kāi)...

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10.09

2023

分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著(zhù)超高真空技術(shù)的...

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10.07

2023

離子注入的阻滯機制

當離子轟擊進(jìn)入硅襯底后,與晶格原子碰撞將逐漸失去能量,最后停留在硅襯底內。有兩種...

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09.26

2023

MEMS開(kāi)關(guān)

MEMS器件在射頻比如無(wú)線(xiàn)通信上有很好的應用。RF MEMS諧振器和誘導器品質(zhì)因子...

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